买卖IC网 >> 产品目录 >> SIS332DN-T1-GE3 MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIS332DN-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts
SIS332DN-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.007 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK 1212-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIS332DN-T1-GE3
SIS334DN-T1-GE3
SIS376DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3PB-FREE
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  • SIS332DN-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,950 0.718 1400.1
    3,000 0.69 2070
    6,000 0.648 3888
    12,000 0.608 7296